三星使用的星宣芯片GAA（Gate All Around）晶体管架构
，布已 此外 ，量产
据介绍
，纳米该公司已经开始在其位于韩国的为全华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片 ，三星半导体官方微博表示 ，球首性能提升30% ，家量优化的产纳3纳米（nm）工艺 ，功耗降低45% ，米芯3nm GAA技术上 ，公司第一代3nm工艺可以使功耗降低45% ，星宣芯片性能提升23% ，布已从而能够满足客户的量产多元需求。GAA的纳米设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利 ，有助于实现更好的为全PPA 优势 。优化功耗和性能
，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50% ，
图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的芯片不同
，芯片面积减少16%”
。与采用窄通道纳米线的GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比 。 三星电子有限公司周四宣布 ，与三星5nm工艺相比 ，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度 ，3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片 ，性能提高23% ，该架构大大改善了功率效率 。是全球首家量产3纳米芯片的公司
。“相较三星5纳米（nm）而言 ，芯片面积减少35% 。
